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Ataque por plasma

Ataque por plasma

El ataque por iones reactivos es una tecnología empleada en micro y nanofabricación con características diferentes a los ataques húmedos convencionales. En este tipo de ataques se genera un plasma a baja presión (alto vacío) mediante un campo electromagnético. Los iones del plasma, con elevada energía, atacan y reaccionan con la superficie del sustrato.

En IK4-TEKNIKER se pueden realizar ataques selectivos de silicio, óxidos y nitruros sobre sustratos de hasta 4 pulgadas mediante un plasma de acoplamiento inductivo, empleando diversos gases (SF6, C4F8, CHF3,…). También es posible realizar procesos de limpieza, de eliminación de capa residual en procesos de NIL y de activación de superficies mediante plasma de oxígeno.

Las características más destacables son:

  1. Proceso físico-químico en el que la isotropía/anisotropía es controlable.
  2. Gran rango de materiales a los que atacar.
  3. Posibilidad de ataques profundos mediante proceso Bosch (plasmas de ataque y pasivante alternativos).

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    CARACTERÍSTICAS DEL EQUIPO

    • Sustratos de hasta 4 pulgadas
    • Refrigeración mediante helio
    • Variedad de plasmas: SF6, C4F8, CHF3, O2, Ar 

    EXPERTISE

    • Ataques a silicio, vidrio y polímeros
    • Ataques profundos mediante procesos combinados multiplexados de pasivación y ataque
    • Ataques a escala nanométrica
    ) ) )
  • Fotos

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